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SIR170DP-T1-RE3-HXY
SIR170DP-T1-RE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ。低RDON显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制，以及对能效和热性能要求较高的设备。其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。
- 商品型号
- SIR170DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C51949338
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIR170DP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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