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BSC050N10NS5-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ。低RDON有助于减小导通损耗，提升系统能效并降低温升。适用于高功率密度的电源转换应用，如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作，适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC050N10NS5-HXY
商品编号: C51949339
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149克(g)

商品参数

BSC050N10NS5采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。