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BSC050N10NS5-HXY
BSC050N10NS5-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ。低RDON有助于减小导通损耗，提升系统能效并降低温升。适用于高功率密度的电源转换应用，如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作，适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- BSC050N10NS5-HXY
- 商品编号
- C51949339
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC050N10NS5采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 85 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.6 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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