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IAUC100N10S5N040-HXY
IAUC100N10S5N040-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.6mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，减少散热需求，适用于对功率密度和能效要求较高的直流电源转换、大电流负载开关及高性能数字电源等场景。器件参数符合主流同步整流与电池管理系统的性能需求，是处理大电流脉冲和持续负载的理想选择之一。
- 商品型号
- IAUC100N10S5N040-HXY
- 商品编号
- C51949340
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IAUC100N10S5N040采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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