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IAUC100N10S5N040-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.6mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，减少散热需求，适用于对功率密度和能效要求较高的直流电源转换、大电流负载开关及高性能数字电源等场景。器件参数符合主流同步整流与电池管理系统的性能需求，是处理大电流脉冲和持续负载的理想选择之一。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IAUC100N10S5N040-HXY
商品编号: C51949340
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143克(g)

商品参数

IAUC100N10S5N040采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。