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IPD12CN10NGATMA1-HXY
IPD12CN10NGATMA1-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管，具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ。低RDON有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。该器件适用于需要高效开关和负载管理的电源系统，可用于直流-直流转换、电机驱动以及高电流电源开关等场景，其性能表现能够满足对功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- IPD12CN10NGATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949337
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392929克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPD12CN10NGATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 70 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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