温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD12CN10NGATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这是一款N沟道场效应管，具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ。低RDON有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。该器件适用于需要高效开关和负载管理的电源系统，可用于直流-直流转换、电机驱动以及高电流电源开关等场景，其性能表现能够满足对功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD12CN10NGATMA1-HXY
商品编号: C51949337
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392929克(g)

商品参数

IPD12CN10NGATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。