温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTMFSC4D2N10MC-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率密度开关应用。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。紧凑的封装设计有利于简化PCB布局，提高整体系统可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFSC4D2N10MC-HXY
商品编号: C51949334
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144444克(g)

商品参数

NTMFSC4D2N10MC采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。