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NTMFSC4D2N10MC-HXY
NTMFSC4D2N10MC-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率密度开关应用。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大电流电机驱动及同步整流等场景。紧凑的封装设计有利于简化PCB布局，提高整体系统可靠性。
- 商品型号
- NTMFSC4D2N10MC-HXY
- 商品编号
- C51949334
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144444克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTMFSC4D2N10MC采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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