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NTMFS4D2N10MDT1G-HXY
NTMFS4D2N10MDT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。采用先进工艺技术，具备优良的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。器件结构优化，支持高密度布局，有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。
- 商品型号
- NTMFS4D2N10MDT1G-HXY
- 商品编号
- C51949336
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTMFS4D2N10MDT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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