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NTMFS4D2N10MDT1G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。采用先进工艺技术，具备优良的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。器件结构优化，支持高密度布局，有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4D2N10MDT1G-HXY
商品编号: C51949336
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

NTMFS4D2N10MDT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。