温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIR104LDP-T1-RE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管具备85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关电路。其导通电阻为4.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效表现。器件采用先进半导体工艺，具有良好的热稳定性与开关速度，适合用于大电流电源管理、DC-DC转换模块及电机控制等应用。优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗，配合紧凑封装，有利于实现高密度电路集成与可靠性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIR104LDP-T1-RE3-HXY
商品编号: C51949335
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149克(g)

商品参数

SIR104LDP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。