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SIR104LDP-T1-RE3-HXY
SIR104LDP-T1-RE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关电路。其导通电阻为4.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效表现。器件采用先进半导体工艺，具有良好的热稳定性与开关速度，适合用于大电流电源管理、DC-DC转换模块及电机控制等应用。优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗，配合紧凑封装，有利于实现高密度电路集成与可靠性能。
- 商品型号
- SIR104LDP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C51949335
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIR104LDP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 85 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.6 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流同步整流应用
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