温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMPH6250S-13-HXY

P沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 该P沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）低至115mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。P沟道设计使其在高边开关和负载开关应用中具备简化驱动电路的优势。该器件适用于需要直流电压转换、电源管理及信号切换功能的便携式设备与通用电子装置，可用于同步整流、电池供电系统的电源控制以及各类开关电路中，满足对空间和能效有要求的紧凑型设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH6250S-13-HXY
商品编号: C51949331
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

DMPH6250S - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。