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DMPH6250SQ-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管额定漏源电压为60V，可承载3A连续漏极电流，具备115mΩ的低导通电阻，在同类器件中表现出较好的导通性能，有助于降低功率损耗。其P沟道结构适用于电压极性控制与高边开关配置，简化了栅极驱动设计。典型应用包括直流-直流电源转换电路、电池供电设备的电源管理模块、负载开关以及各类需要电平切换和功率控制的通用电子电路，适合对效率和集成度有一定要求的紧凑型电子产品设计。
- 商品型号
- DMPH6250SQ-7-HXY
- 商品编号
- C51949332
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V；190mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
DMPH6250SQ-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -3A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 190mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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