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NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和35A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，可显著降低大电流下的导通损耗，提升系统效率。其N沟道结构适用于同步整流、高效开关电源及电机驱动等应用，支持高频开关操作。器件可用于直流-直流转换器、电池管理系统、高功率负载开关及便携式设备电源模块，满足对功率密度和能效有较高要求的电路设计，适合需要低热耗散与紧凑布局的中高功率电子系统。
- 商品型号
- NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
- 商品编号
- C51949329
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141414克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVMFD5C674NLWFT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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