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NVMFD5C674NLWFT1G-HXY

双N沟道SGT增强型MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和35A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，可显著降低大电流下的导通损耗，提升系统效率。其N沟道结构适用于同步整流、高效开关电源及电机驱动等应用，支持高频开关操作。器件可用于直流-直流转换器、电池管理系统、高功率负载开关及便携式设备电源模块，满足对功率密度和能效有较高要求的电路设计，适合需要低热耗散与紧凑布局的中高功率电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
商品编号: C51949329
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.141414克(g)

商品参数

NVMFD5C674NLWFT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。