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DMPH6250SQ-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至115mΩ，在较低栅极电压下即可实现高效导通。其P沟道结构适用于高边开关及电源管理应用，能够有效降低导通损耗，提升系统能效。器件适合用于直流电源转换、负载开关、电池供电设备中的控制电路以及各类中等功率开关电源设计，为紧凑型电子设备提供可靠的功率切换性能。
- 商品型号
- DMPH6250SQ-13-HXY
- 商品编号
- C51949328
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
DMPH6250SQ-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -3A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 190mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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