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SQ7415CENW-T1_GE3-HXY

P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该P沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为49mΩ，适用于中等功率的开关控制场景。其P沟道结构简化了栅极驱动设计，常用于高边开关或电源通路管理电路中。器件适合部署于电池供电设备的电源切换、便携式电子产品中的负载开关以及DC-DC电源架构的反向电流保护等应用，能够满足对电路简洁性与可靠性有一定要求的低功耗系统设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
商品编号: C51949327
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.063514克(g)

商品参数

SQ7415CENW-T1GE3采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源