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SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为49mΩ，适用于中等功率的开关控制场景。其P沟道结构简化了栅极驱动设计，常用于高边开关或电源通路管理电路中。器件适合部署于电池供电设备的电源切换、便携式电子产品中的负载开关以及DC-DC电源架构的反向电流保护等应用，能够满足对电路简洁性与可靠性有一定要求的低功耗系统设计需求。
- 商品型号
- SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C51949327
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063514克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SQ7415CENW-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -20A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 65mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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