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NVMFD5C668NLWFT1G-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体能效。低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计，如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能，适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
商品编号: C51949326
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143434克(g)

商品参数

NVMFD5C668NLWFT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。