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NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体能效。低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计，如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能，适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。
- 商品型号
- NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
- 商品编号
- C51949326
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143434克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVMFD5C668NLWFT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 80 A
- RDS(ON) < 7 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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