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NTMFS5C646NLT3G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其在大电流开关应用中表现出色，适用于需要高效能电源管理的设备。该器件适合用于直流-直流转换、高密度电源模块以及电池供电系统中的功率控制，能够满足对能效和散热性能有较高要求的电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS5C646NLT3G-HXY
商品编号: C51949325
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

NTMFS5C646NLT3G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。