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NTMFS5C646NLT3G-HXY
NTMFS5C646NLT3G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其在大电流开关应用中表现出色，适用于需要高效能电源管理的设备。该器件适合用于直流-直流转换、高密度电源模块以及电池供电系统中的功率控制，能够满足对能效和散热性能有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- NTMFS5C646NLT3G-HXY
- 商品编号
- C51949325
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTMFS5C646NLT3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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