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NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，具备优异的导通性能，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景，可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
商品编号: C51949324
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

NVMFS5C646NLWFAFT1G采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。