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NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，具备优异的导通性能，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景，可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。
- 商品型号
- NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
- 商品编号
- C51949324
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVMFS5C646NLWFAFT1G采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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