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NX6008NBKR-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和0.3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为1900mΩ，适用于低电流开关场景。其较高的导通电阻适合在小功率电路中实现精确的电流控制与通断功能。器件工作稳定，开关响应良好，可广泛用于便携式设备电源管理、小型电子装置的信号切换、电池供电电路的负载控制以及各类低功耗嵌入式系统中，满足对空间占用和能耗敏感的应用需求，为小型化电子设计提供基础支持。
- 商品型号
- NX6008NBKR-HXY
- 商品编号
- C51949323
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
NX6008NBKR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω @ VGS = 10V
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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