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NTTFS5C658NLTAG-HXY

N-SGT增强型模式MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性有助于减少发热，适用于高电流开关应用。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理系统、高效能电机驱动电路及直流变换模块中，适合对功率密度和能效有较高要求的设计场景，为复杂电路提供可靠的开关控制性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTTFS5C658NLTAG-HXY
商品编号: C51949322
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069178克(g)

商品参数

NTTFS5C658NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。