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NTTFS5C658NLTAG-HXY
NTTFS5C658NLTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性有助于减少发热，适用于高电流开关应用。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理系统、高效能电机驱动电路及直流变换模块中，适合对功率密度和能效有较高要求的设计场景，为复杂电路提供可靠的开关控制性能。
- 商品型号
- NTTFS5C658NLTAG-HXY
- 商品编号
- C51949322
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069178克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTTFS5C658NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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