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SQJ850EP-T1_GE3-HXY
SQJ850EP-T1_GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为20mΩ，适用于中等功率开关应用。器件具备良好的栅极控制特性和开关响应速度，有助于降低开关损耗，提升系统能效。采用标准封装，利于散热与电路集成，适合用于电源管理模块、电池供电系统、直流电机驱动及各类功率调节电路。其性能表现满足多种电子设备对稳定性和效率的需求，适用于对空间与功耗有兼顾要求的设计方案。
- 商品型号
- SQJ850EP-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C51949321
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145455克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SQJ850EP-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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