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NVTFS5C658NLTAG-HXY
NVTFS5C658NLTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其4mΩ的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体能效。器件基于成熟工艺设计，具有良好的热性能与开关稳定性，适合在紧凑型电源系统中实现高效功率切换。可广泛应用于直流-直流转换、电池供电设备的功率控制以及各类高性能电子负载的驱动电路，满足对效率与空间利用率要求较高的设计方案。
- 商品型号
- NVTFS5C658NLTAG-HXY
- 商品编号
- C51949320
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVTFS5C658NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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