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NVTFS5C658NLTAG-HXY

N-SGT增强型模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其4mΩ的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体能效。器件基于成熟工艺设计，具有良好的热性能与开关稳定性，适合在紧凑型电源系统中实现高效功率切换。可广泛应用于直流-直流转换、电池供电设备的功率控制以及各类高性能电子负载的驱动电路，满足对效率与空间利用率要求较高的设计方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS5C658NLTAG-HXY
商品编号: C51949320
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069333克(g)

商品参数

NVTFS5C658NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。