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IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至2.4mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中，是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件，适用于对功耗和空间有严格要求的设备。
- 商品型号
- IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949319
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148485克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IAUC120N06S5L032ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 125A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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