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IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY

N-SGT增强模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至2.4mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中，是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件，适用于对功耗和空间有严格要求的设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
商品编号: C51949319
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148485克(g)

商品参数

IAUC120N06S5L032ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性。