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NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管，具有60V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ。低RDON参数有助于减小导通损耗，提高电源转换效率，适用于高负载功率开关场景。器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路，以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中，作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。
- 商品型号
- NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
- 商品编号
- C51949318
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVTFS5C658NLWFTAG采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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