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NVTFS5C658NLWFTAG-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 本产品为N沟道场效应管，具有60V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ。低RDON参数有助于减小导通损耗，提高电源转换效率，适用于高负载功率开关场景。器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路，以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中，作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
商品编号: C51949318
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.071333克(g)

商品参数

NVTFS5C658NLWFTAG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。