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ISZ0702NLSATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4mΩ。低RDON特性可有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流开关应用。其高功率密度设计支持快速开关响应，有助于减少能量损耗和发热。该器件可应用于高效直流-直流转换电路、大电流电源开关、电池管理系统中的功率控制，以及对空间和效率要求较高的紧凑型电子设备中，作为核心开关元件实现稳定可靠的功率调节。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ISZ0702NLSATMA1-HXY
商品编号: C51949317
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069595克(g)

商品参数

ISZ0702NLSATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。