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ISZ0702NLSATMA1-HXY
ISZ0702NLSATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4mΩ。低RDON特性可有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流开关应用。其高功率密度设计支持快速开关响应，有助于减少能量损耗和发热。该器件可应用于高效直流-直流转换电路、大电流电源开关、电池管理系统中的功率控制，以及对空间和效率要求较高的紧凑型电子设备中，作为核心开关元件实现稳定可靠的功率调节。
- 商品型号
- ISZ0702NLSATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949317
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069595克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
ISZ0702NLSATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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