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SIR186LDP-T1-RE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 这是一款N沟道增强型场效应管，具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ。该器件适用于需要高效能功率转换的场景，其低RDON特性有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。得益于较高的电流承载能力和良好的热稳定性，该MOSFET适合用于直流电源管理、电机驱动控制及高密度电源转换电路中，作为开关元件实现快速响应与稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIR186LDP-T1-RE3-HXY
商品编号: C51949316
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

SIR186LDP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。