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SIR186LDP-T1-RE3-HXY
SIR186LDP-T1-RE3-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型场效应管，具有60V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ。该器件适用于需要高效能功率转换的场景，其低RDON特性有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。得益于较高的电流承载能力和良好的热稳定性，该MOSFET适合用于直流电源管理、电机驱动控制及高密度电源转换电路中，作为开关元件实现快速响应与稳定运行。
- 商品型号
- SIR186LDP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C51949316
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIR186LDP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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