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NX138BKR-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有50V的漏源电压（VDSS）和0.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1100mΩ。其参数组合适合低功率开关应用，能够在较小电流条件下实现快速响应与较低的驱动损耗。器件适用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池供电系统的通断控制、信号路径切换以及各类小型化嵌入式系统中的逻辑开关功能。由于具备一定的电压耐受能力和适中的导通电阻，可在消费类电子产品、智能传感器模块及低功耗通信装置中作为高效开关元件使用，满足对空间紧凑和能耗敏感的设计需求。
- 商品型号
- NX138BKR-HXY
- 商品编号
- C51949315
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
NX138BKR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50V，ID = 0.22A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 2.0Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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