DMT6005LPS-13-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至3.7mΩ。优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗，提升系统整体能效。器件适用于高功率密度的电源转换应用，如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色，适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT6005LPS-13-HXY
商品编号: C51949314
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146465克(g)

商品参数