温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6005LPS-13-HXY
DMT6005LPS-13-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至3.7mΩ。优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗，提升系统整体能效。器件适用于高功率密度的电源转换应用，如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色，适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。
- 商品型号
- DMT6005LPS-13-HXY
- 商品编号
- C51949314
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.673nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 773pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMT6005LPS-13采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专门设计用于提高耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- NX138BKR-HXY
- SIR186LDP-T1-RE3-HXY
- ISZ0702NLSATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
- IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLTAG-HXY
- NTTFS5C658NLTAG-HXY
- NX6008NBKR-HXY
- NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
- NTMFS5C646NLT3G-HXY
- NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
- SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
- DMPH6250SQ-13-HXY
- NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
- DMPH6250S-7-HXY
- DMPH6250S-13-HXY
- DMPH6250SQ-7-HXY
- NTMFS005N10MCLT1G-HXY
- NTMFSC4D2N10MC-HXY
- SIR104LDP-T1-RE3-HXY
- NTMFS4D2N10MDT1G-HXY