DMN65D8L-7-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述: 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和0.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1900mΩ。其适中的电压与电流能力，结合相对较低的导通电阻，有助于提升开关效率并减少功耗。器件适用于中低功率的直流电源管理、电池供电设备的开关控制以及各类小型电子设备中的信号切换与负载驱动，可作为高效的开关元件用于电源转换、便携式电子产品及通用模拟开关电路中，满足对空间和能效有要求的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMN65D8L-7-HXY
商品编号: C51949313
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数