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DMN65D8L-7-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和0.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为1900mΩ。其适中的电压与电流能力，结合相对较低的导通电阻，有助于提升开关效率并减少功耗。器件适用于中低功率的直流电源管理、电池供电设备的开关控制以及各类小型电子设备中的信号切换与负载驱动，可作为高效的开关元件用于电源转换、便携式电子产品及通用模拟开关电路中，满足对空间和能效有要求的设计需求。
- 商品型号
- DMN65D8L-7-HXY
- 商品编号
- C51949313
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
DMN65D8L-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω（VGS = 10V时）
- ESD等级：HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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