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SQJ848EP-T1_GE3-HXY
SQJ848EP-T1_GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有40V漏源电压（VDSS）和55A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至6.5mΩ，能有效降低大电流工作时的导通损耗。其低电阻特性有助于减少发热，提升系统能效和热稳定性。适用于高功率密度电源系统、便携式高能设备的功率控制、高效DC-DC转换器、电池管理系统中的开关模块，以及对导通效率和散热性能要求较高的电子设备，适合用于中等电压、大电流开关应用中的可靠功率切换。
- 商品型号
- SQJ848EP-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C51949312
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.150505克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SQJ848EP-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 55A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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