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RS1G120MNTB-HXY
RS1G120MNTB-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备40V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为11mΩ。较低的RDSON有助于减少高负载条件下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等电压直流开关应用，如大功率电源管理模块、电池供电设备中的能量切换、高效DC-DC转换电路以及对热性能和空间布局有要求的紧凑型电子产品，可满足对稳定性和导通效率有一定需求的功率控制场景。
- 商品型号
- RS1G120MNTB-HXY
- 商品编号
- C51949311
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
RS1G120MNTB采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 40A
- RDS(ON) < 14mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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