SI7328DN-T1-GE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDSON特性有助于减少功率器件的发热，提升系统整体能效。适用于大电流直流开关电源、电池管理系统中的功率控制、高性能电源转换模块以及对效率和散热有较高要求的紧凑型电子设备，是优化中等电压功率开关设计的可靠选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7328DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C51949310

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.068667克(g)