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SI7328DN-T1-GE3-HXY
SI7328DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，在高电流开关应用中可有效降低导通损耗。其低RDSON特性有助于减少功率器件的发热，提升系统整体能效。适用于大电流直流开关电源、电池管理系统中的功率控制、高性能电源转换模块以及对效率和散热有较高要求的紧凑型电子设备，是优化中等电压功率开关设计的可靠选择。
- 商品型号
- SI7328DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C51949310
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7328DN-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 6.3 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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