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IRLR8729PBF-HXY
IRLR8729PBF-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关电路。其导通电阻为7mΩ（RDON），在保证较大电流通过的同时可有效降低导通损耗，减少工作温升。器件适用于高效率直流电源转换系统，如同步整流型DC-DC变换器、电池管理系统中的功率开关、电机驱动电路以及各类便携式设备的电源模块。凭借良好的热稳定性和开关特性，适合用于对能效和空间布局有要求的电子设备中。
- 商品型号
- IRLR8729PBF-HXY
- 商品编号
- C51949309
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRLR8729PBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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