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FDD6670S-HXY
FDD6670S-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源电压（VDSS）和60A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其导通电阻为7mΩ（RDON），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。该MOSFET适用于直流-直流电源转换、高效率电压调节模块、电池供电系统中的功率开关，以及需要快速开关响应的同步整流电路。凭借其高电流承载能力和稳定电气特性，可广泛用于各类电子设备的功率管理单元。
- 商品型号
- FDD6670S-HXY
- 商品编号
- C51949308
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385859克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FDD6670S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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