FDD6670S-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源电压（VDSS）和60A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其导通电阻为7mΩ（RDON），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。该MOSFET适用于直流-直流电源转换、高效率电压调节模块、电池供电系统中的功率开关，以及需要快速开关响应的同步整流电路。凭借其高电流承载能力和稳定电气特性，可广泛用于各类电子设备的功率管理单元。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDD6670S-HXY

商品编号

C51949308

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.385859克(g)