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BSC050N03LSGATMA1-HXY
BSC050N03LSGATMA1-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关场景。其导通电阻低至4.3mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件适用于需要高效直流电压转换与功率控制的电路设计，常见于电源管理模块、同步整流电路以及电机驱动单元中，作为高速开关元件使用，能够有效降低温升并提高功率密度。
- 商品型号
- BSC050N03LSGATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949307
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148485克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC050N03LSGATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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