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NVMFS4C03NWFT1G-HXY
NVMFS4C03NWFT1G-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和150A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，减少工作时的热量产生，提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路，如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应，支持高频运行，可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。
- 商品型号
- NVMFS4C03NWFT1G-HXY
- 商品编号
- C51949306
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVMFS4C03NWFT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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