温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS4C03NWFT1G-HXY
NVMFS4C03NWFT1G-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和150A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，减少工作时的热量产生，提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路，如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应，支持高频运行，可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。
- 商品型号
- NVMFS4C03NWFT1G-HXY
- 商品编号
- C51949306
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NVMFS4C03NWFT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- BSC050N03LSGATMA1-HXY
- FDD6670S-HXY
- IRLR8729PBF-HXY
- SI7328DN-T1-GE3-HXY
- RS1G120MNTB-HXY
- DMN65D8L-7-HXY
- DMT6005LPS-13-HXY
- NX138BKR-HXY
- SIR186LDP-T1-RE3-HXY
- ISZ0702NLSATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
- IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLTAG-HXY
- NTTFS5C658NLTAG-HXY
- NX6008NBKR-HXY
- NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
- NTMFS5C646NLT3G-HXY
- NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
- SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
- DMPH6250SQ-13-HXY
- NVMFD5C674NLWFT1G-HXY