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NVTFS4C05NWFTAG-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID），适用于大电流开关场景。其导通电阻低至2.9mΩ，显著降低导通损耗，有助于提升整体能效并减少热积累。优异的电流承载能力与低RDS(on)特性使其适合用于高功率密度电源系统，如同步整流、大电流DC-DC变换器及电池供电设备中的功率控制模块。器件响应速度快，支持高频开关操作，可满足高性能数字电源和便携式大功率设备对稳定性和效率的严苛要求。
- 商品型号
- NVTFS4C05NWFTAG-HXY
- 商品编号
- C51949305
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V；3.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 396pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 437pF |
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