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AON6384-HXY
AON6384-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，具备优异的导通性能和较低的功率损耗。其低RDSON特性有助于提升系统效率，减少散热需求，适用于高密度电源设计。典型应用包括大电流开关电路、高效DC-DC转换模块、电池管理系统、便携式高功率设备中的电机驱动与电源控制，适合对能效和热管理有较高要求的电子产品。
- 商品型号
- AON6384-HXY
- 商品编号
- C51949304
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
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