DMTH32M5LPSQ-13-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，适用于大电流开关应用。其低RDSON特性显著降低导通损耗，提升整体能效，适合对热性能和空间布局要求较高的设计。常用于高性能电源转换、大功率直流电机控制、储能系统及同步整流等电路中，能够有效支持高密度、高效率的电力管理方案，满足复杂电子设备对稳定性和响应速度的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH32M5LPSQ-13-HXY

商品编号

C51949303

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.18克(g)