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DMN3069L-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和6A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至22mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDSON特性使其在中等功率开关应用中表现出色，适用于需要紧凑设计和良好热性能的电源管理电路。器件适用于各类电子设备中的直流电机驱动、电源转换模块及负载开关等场景，能够满足对能效和空间利用有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- DMN3069L-13-HXY
- 商品编号
- C51949302
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
DMN3069L-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6.0A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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