DI150N03PQ-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。超低RDON特性使其在大电流应用中具备优异的热性能和功率处理能力。器件适用于高密度电源转换、高性能开关电路、电池管理系统及直流功率调节等场景，能够满足对效率、散热和空间要求较高的设计需求，是高功率开关应用中的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI150N03PQ-HXY
商品编号: C51949301
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数