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DI150N03PQ-HXY
DI150N03PQ-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。超低RDON特性使其在大电流应用中具备优异的热性能和功率处理能力。器件适用于高密度电源转换、高性能开关电路、电池管理系统及直流功率调节等场景，能够满足对效率、散热和空间要求较高的设计需求，是高功率开关应用中的关键元件。
- 商品型号
- DI150N03PQ-HXY
- 商品编号
- C51949301
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DI150N03PQ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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