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DMT35M7LFV-13-HXY
DMT35M7LFV-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为3.5mΩ，在高电流工作条件下可有效降低功率损耗。低RDON有助于减少发热，提升能效，适用于对热管理要求较高的电路设计。器件采用成熟封装工艺，具有良好的电气稳定性和耐用性，适合应用于开关电源、电池供电设备、直流电机控制及大电流功率转换等场景，满足高性能功率开关对效率与可靠性的需求。
- 商品型号
- DMT35M7LFV-13-HXY
- 商品编号
- C51949300
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@VGS=10V,ID=30A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
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