DMT35M7LFV-13-HXY

DMT35M7LFV-13-HXY

描述

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为3.5mΩ，在高电流工作条件下可有效降低功率损耗。低RDON有助于减少发热，提升能效，适用于对热管理要求较高的电路设计。器件采用成熟封装工艺，具有良好的电气稳定性和耐用性，适合应用于开关电源、电池供电设备、直流电机控制及大电流功率转换等场景，满足高性能功率开关对效率与可靠性的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT35M7LFV-13-HXY

商品编号

C51949300

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.062克(g)