温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4936NCT1G-HXY
NTMFS4936NCT1G-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性有助于减少发热，适用于高电流开关应用。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、直流-直流转换、电机驱动及高密度功率控制等场景，是高性能开关电路中的理想选择。
- 商品型号
- NTMFS4936NCT1G-HXY
- 商品编号
- C51949299
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
相似推荐
其他推荐
- DMT35M7LFV-13-HXY
- DI150N03PQ-HXY
- DMN3069L-13-HXY
- DMTH32M5LPSQ-13-HXY
- AON6384-HXY
- NVTFS4C05NWFTAG-HXY
- NVMFS4C03NWFT1G-HXY
- BSC050N03LSGATMA1-HXY
- FDD6670S-HXY
- IRLR8729PBF-HXY
- SI7328DN-T1-GE3-HXY
- RS1G120MNTB-HXY
- DMN65D8L-7-HXY
- DMT6005LPS-13-HXY
- NX138BKR-HXY
- SIR186LDP-T1-RE3-HXY
- ISZ0702NLSATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
- IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
- NVTFS5C658NLTAG-HXY
- NTTFS5C658NLTAG-HXY