NTMFS4936NCT1G-HXY

NTMFS4936NCT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其低电阻特性有助于减少发热，适用于高电流开关应用。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、直流-直流转换、电机驱动及高密度功率控制等场景，是高性能开关电路中的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4936NCT1G-HXY

商品编号

C51949299

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.142克(g)