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FDMS8018-HXY
FDMS8018-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，适用于大电流开关应用。其超低导通电阻仅为1.5mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。器件支持高频开关操作，适合用于高功率密度的直流-直流转换电路、大电流电源管理模块及电池供电系统中的功率控制。N沟道设计在匹配适当栅极驱动时，可实现快速响应与稳定导通，适用于对散热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。
- 商品型号
- FDMS8018-HXY
- 商品编号
- C51949298
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FDMS8018采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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