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FDMS8018-HXY
FDMS8018-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，适用于大电流开关应用。其超低导通电阻仅为1.5mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。器件支持高频开关操作，适合用于高功率密度的直流-直流转换电路、大电流电源管理模块及电池供电系统中的功率控制。N沟道设计在匹配适当栅极驱动时，可实现快速响应与稳定导通，适用于对散热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。
- 商品型号
- FDMS8018-HXY
- 商品编号
- C51949298
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
FDMS8018采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ(VGS = 10 V)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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