SIRA84BDP-T1-GE3-HXY

SIRA84BDP-T1-GE3-HXY

描述

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关应用。其导通电阻低至3mΩ，有效降低导通损耗，提高电源转换效率。器件支持快速开关响应，适合高频工作环境，可用于直流-直流变换电路、大电流电源开关及电机驱动模块等场景。N沟道结构在适配合理栅极驱动条件下，可实现稳定可靠的控制性能，是高密度电源设计中的关键元件，适用于对能效和散热有较高要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIRA84BDP-T1-GE3-HXY

商品编号

C51949297

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.142克(g)