SISA14BDN-T1-GE3-HXY

SISA14BDN-T1-GE3-HXY

描述

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和90A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.5mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，可用于直流-直流转换、电机驱动控制及负载开关等应用。N沟道设计配合合适的栅极驱动，可实现快速开关响应，满足高频工作需求，适用于对空间和能效有要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA14BDN-T1-GE3-HXY

商品编号

C51949296

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.62克(g)