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SISA14BDN-T1-GE3-HXY
SISA14BDN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和90A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.5mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，可用于直流-直流转换、电机驱动控制及负载开关等应用。N沟道设计配合合适的栅极驱动，可实现快速开关响应，满足高频工作需求，适用于对空间和能效有要求的电子设备。
- 商品型号
- SISA14BDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C51949296
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
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