SISA88DN-T1-GE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性

描述

该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和40A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，可有效减少大电流下的导通损耗。器件具备优良的开关特性和热稳定性，适用于高效率电源转换电路。其低电阻与中等电流承载能力使其适合用于同步整流模块、便携式设备的电源管理单元以及直流-直流降压变换器中。紧凑的封装设计支持高密度电路布局，满足对能效和空间利用要求较高的应用场景，有助于提升整体系统效率与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA88DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C51949295

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.067333克(g)