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SISA88DN-T1-GE3-HXY
SISA88DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和40A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，可有效减少大电流下的导通损耗。器件具备优良的开关特性和热稳定性，适用于高效率电源转换电路。其低电阻与中等电流承载能力使其适合用于同步整流模块、便携式设备的电源管理单元以及直流-直流降压变换器中。紧凑的封装设计支持高密度电路布局，满足对能效和空间利用要求较高的应用场景，有助于提升整体系统效率与可靠性。
- 商品型号
- SISA88DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C51949295
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SISA88DN-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 6.3 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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