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AONR32314-HXY
AONR32314-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和35A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为7.5mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。器件采用优化的沟道设计，具备良好的开关速度与热稳定性，适用于中等功率级别的电源转换与控制电路。其低导通电阻特性适合用于同步整流、电池供电设备的电源管理模块以及直流电机驱动中的开关元件。封装紧凑，利于高密度布局，满足对能效和空间利用率均有要求的便携式电子设备与高性能电源系统。
- 商品型号
- AONR32314-HXY
- 商品编号
- C51949294
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060403克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AONR32314采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A
- RDS(ON) < 10 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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