AONR32314-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和35A持续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为7.5mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。器件采用优化的沟道设计，具备良好的开关速度与热稳定性，适用于中等功率级别的电源转换与控制电路。其低导通电阻特性适合用于同步整流、电池供电设备的电源管理模块以及直流电机驱动中的开关元件。封装紧凑，利于高密度布局，满足对能效和空间利用率均有要求的便携式电子设备与高性能电源系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AONR32314-HXY
商品编号: C51949294
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.060403克(g)

商品参数