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AO4576

N沟道增强型MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5mΩ的导通电阻（RDON），可持续通过最高18A的漏极电流（ID）。器件采用高密度沟槽工艺，具备优异的导通性能与热稳定性，适用于高效率电源转换、同步整流、电池充放电管理及负载开关等应用。其低导通电阻显著降低功率损耗，提升系统整体能效，适合用于高性能电子设备中的功率控制模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO4576
商品编号: C49420483
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.112121克(g)

商品参数

AO4576采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。