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DMNH6012SPS-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，适用于多种功率电子应用。其主要参数包括：漏极电流ID为65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，可有效减少功率损耗并提升系统效率。器件结构设计优化，具有良好的热稳定性和耐高压特性，适合用于高效电源转换、电池充放电管理及高性能负载控制等场景，满足对可靠性和效率有较高要求的电路设计。
- 商品型号
- DMNH6012SPS-13-HXY
- 商品编号
- C49420497
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
DMNH6012SPS-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源