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NTMFS5C673NLT3G-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高要求的电子应用场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDON）低至8mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适用于电源管理、高效能转换器、电池保护电路以及各类精密电子设备中的开关与控制应用。
- 商品型号
- NTMFS5C673NLT3G-HXY
- 商品编号
- C49420498
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
NTMFS5C673NLT3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源