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PMV27UPER-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和7A的最大连续漏极电流（ID），适用于中功率负载切换与电源管理场景。其导通电阻（RDON）低至20mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于各类消费类电子设备中的开关电路、电机驱动、电池保护及DC-DC转换等应用。器件设计兼顾性能与兼容性，满足多种电源控制需求。
- 商品型号
- PMV27UPER-HXY
- 商品编号
- C49420505
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.7V；27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
PMV27UPER采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V,漏极电流ID = -7.0 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET