TCC0603X7T106M6R3CT

多层片式瓷介电容器分为不同介质类型，各有特点和适用电路：

• COG 介质材料的电容器为Ⅰ类电容器，包括常规、中高压 COG 产品。此类产品电性能稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，适用于低损耗、稳定性要求高的电路，如滤波器、谐振器和计时电路。
• X7R、X5R、X6S、X7T 介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，具有较高的介电常数，容量比Ⅰ类电容器高，具有较稳定的温度特性，适用于容量范围广、稳定性要求不高的电路，如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路。
• Y5V 介质材料的电容器为Ⅱ类电容器，是所有电容器中介电常数最大的，但容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量、温度变化不大的电路。

不同尺寸的多层片式瓷介电容器容量容差和厚度如下：

• 0201(0603)尺寸：容量容差 COG 为 J(±5%)，X5R/X6S/X7T 为 K(±10%)、M(±20%)；厚度 Z 为 0.30±0.03mm。
• 0402(1005)尺寸：容量容差 COG(0.5pF~4.9pF)为 B/C，COG(5.0pF~9.9pF)为 D，COG(≥10pF)为 F(±1%)、G(±2%)、J(±5%)、K(±10%)，X7R/X5R/X6S/X7T 为 J(±5.0%)、K(±10%)、M(±20%)，Y5V 为 M(±20%)、Z(-20,+80%)；厚度 A 为 0.50±0.10mm。
• 0603(1608)尺寸：容量容差 COG(0.5pF~4.9pF)为 B/C，COG(5.0pF~9.9pF)为 D，COG(≥10pF)为 F(±1%)、G(±2%)、J(±5%)、K(±10%)，X7R/X5R/X6S/X7T 为 J(±5.0%)、K(±10%)、M(±20%)，Y5V 为 M(±20%)、Z(-20,+80%)；厚度 C 为 0.80±0.1mm（0.80±0.2mm）。
• 0805(2012)尺寸：容量容差 COG(0.5pF~4.9pF)为 B/C，COG(5.0pF~9.9pF)为 D，COG(≥10pF)为 F(±1%)、G(±2%)、J(±5%)、K(±10%)，X7R/X5R/X6S/X7T 为 J(±5.0%)、K(±10%)、M(±20%)，Y5V 为 M(±20%)、Z(-20,+80%)；厚度 B 为 0.60±0.1mm、D 为 0.85±0.1mm、F 为 1.25±0.2mm。
• 1206(3216)尺寸：容量容差 COG(0.5pF~4.9pF)为 B/C，COG(5.0pF~9.9pF)为 D，COG(≥10pF)为 F(±1%)、G(±2%)、J(±5%)、K(±10%)，X7R/X5R/X6S/X7T 为 J(±5.0%)、K(±10%)、M(±20%)，Y5V 为 M(±20%)、Z(-20,+80%)；厚度 D 为 0.85±0.1mm、E 为 1.00±0.1mm、F 为 1.25±0.2mm、H 为 1.60±0.2mm、1.60±0.3mm。

以上容量仅供参考，具体容量取决于使用要求。

• 滤波器
• 谐振器
• 计时电路
• 隔直电路
• 耦合电路
• 旁路电路
• 鉴频电路